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+86-755-82564498
W97AH6NBVA2E
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
型号：
W97AH6NBVA2E
制造商：
Winbond Electronics
类别：
集成电路（ICs）
> 存储器
> 存储器
描述：
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
RoHS：
YES
W97AH6NBVA2E规格
零件状态
:
Active
安装类型
:
Surface Mount
可编程
:
Not Verified
内存类型
:
Volatile
写入周期时间 - 字，页
:
15ns
工作温度
:
-25°C ~ 85°C (TC)
内存容量
:
1Gbit
内存格式
:
DRAM
存储器结构
:
64M x 16
时钟频率
:
400 MHz
封装 / 外壳
:
134-VFBGA
供应商器件封装
:
134-VFBGA (10x11.5)
电压 - 供电
:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
内存接口
:
HSUL_12
技术
:
SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B
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